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臺積電2021年預計支出將達到250~280億美元 半導體材料行業(yè)深度分析

  • 2021年2月22日 HaoChenChong來源:互聯網 1428 94
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根據最新的報告顯示,臺積電2020年的支出將達到5072.4億元新臺幣(折合181.74億美元),同比2019年增加了10.2%的支出。

臺積電2021年預計支出將達到250~280億美元

根據最新的報告顯示,臺積電2020年的支出將達到5072.4億元新臺幣(折合181.74億美元),同比2019年增加了10.2%的支出。

2020年1月發(fā)布2019年第四季度財報時,臺積電管理層預測2020年的資本支出在150~160億美元之間。但是,這一數字在去年第二季度的財報中進行了調整,被提高到160~170億美元,最后的181.74億美元仍然超出了調整后的上限。

臺積電目前已經量產5nm芯片,而3nm工藝仍在開發(fā)中。隨著5nm產能的擴充,以及3nm芯片的研發(fā)和芯片工廠的建設,臺積電預計今年的支出將達到250~280億美元。

據了解,中國擁有世界上最龐大的半導體消費市場,占全球半導體市場的60%左右,但高端芯片的需求自給率低僅為 10%。通過梳理科創(chuàng)板上市的半導體公司發(fā)現,雖然中國半導體行業(yè)產業(yè)鏈中中國在應用和系統的部分水平與全球領軍企業(yè)水平持平,在材料和制造環(huán)節(jié)距龍頭企業(yè)還有大幅的差距。 雖然在科創(chuàng)板中也不乏涉足AI+高端芯片,諸如為云服務器和邊緣計算設備提供AI芯片解決方案的「寒武紀」和為AI、云計算提供以芯片為主解決方案的「瀾起科技」等公司??偟膩砜?,中國半導體行業(yè)生產技術仍然有面向中低端市場、材料配方工藝落后、實現技術突破難的特點。而決定半導體行業(yè)能力缺陷在于短板有多短,中國半導體產業(yè)鏈短板是因為制造環(huán)節(jié)關鍵材料依賴進口,產生了業(yè)內高呼“國產替代”的局面。而所謂“國產替代”:一類是替代性需求,一類是新需求。

替代性需求是半導體產業(yè)全球供應鏈風險加大,例如初全球芯片生產面臨“停擺”的危機,客觀產生的“進口替代”效應;另外中國半導體設備和材料的軟肋也存在投資研發(fā)關鍵技術的“替代”需求。面目前中國的半導體芯片設計公司大部分還是通過“模仿”來進行“替代”。目前中國對外依賴程度較高的高端芯片的提供商主要是IDM企業(yè),在芯片制造中半導體設備及關鍵材料又是其中最“卡脖子”的環(huán)節(jié)。目前半導體材料中90%的成分為硅,半導體材料成本中60%為硅材料購買成本。但由于硅提純的技術壁壘高、所需材料純度高,僅有少數企業(yè)能夠生產高純度硅材料,導致供貨渠道被SK、SUMCO等少數國外材料生產商壟斷,而將電路蝕刻在硅晶圓裸片上又需要先進工藝,這類硅晶圓需要依賴三星、英特爾、臺積電等境外廠商進口;而在制造環(huán)節(jié)是通過中國半導體材料設備行業(yè)制造行業(yè)發(fā)展較晚,尤其是用來去除晶圓表面掩膜的光刻機的國產化程度低于10%,主要被荷蘭ASML和日本AMEC所占據。

新需求是指的新興系統、設備發(fā)展和針對下游諸如電子行業(yè)的強大需求而做的自主創(chuàng)新。 物聯網、人工智能等新技術興起使智能化成為社會生活各個領域的主流趨勢,傳統產業(yè)面臨轉型升級。半導體是產業(yè)智能化進程中必不可少的關鍵電子元件,是新產品智能化功能實現的基礎平臺,新技術應用的核心載體。例如,華為發(fā)展通信領域5G基站的需求讓海思應運而生。另外,在摩爾定律推動下新材料的迭代引發(fā)了半導體代次更迭。

例如前段時間,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表炙手可熱的第三代半導體概念股的異軍突起,被普遍唱興為中國半導體發(fā)展歐美日韓超車的機會。相比于第一代、二代半導體材料,第三代半導體在電子器件、射頻電子器件、功率電子器件三大領域有熱導效率高、穩(wěn)定性好(耐高溫、耐高壓、耐大電流)、抗腐蝕的優(yōu)勢。但第三代半導體材料更適合應用在高頻的大功率器件,例如新基建下的通信、人工智能、云端服務等領域。在電子器件領域,中國高端芯片仍面臨“自給困境”。

國務院發(fā)布的相關數據顯示,中國芯片自給率2019年僅為30%左右。眼下,正視差距才是想要實現“趕超”的第一步。在半導體行業(yè)被公開認可投資邏輯是“天時地利人和”。

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