今日存儲芯片板塊震蕩走低 存儲芯片行業(yè)市場競爭格局分析

• 黃婷 2023年12月18日 來源：互聯(lián)網 1001 63
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存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據的記憶設備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領域。

18日，存儲芯片板塊震蕩走低。東芯股份跌超7%，雅創(chuàng)電子、佰維存儲、普冉股份跌超5%，商絡電子、江波龍等跟跌。

存儲芯片產業(yè)現(xiàn)狀分析

存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據的記憶設備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領域。

存儲芯片技術主要集中于企業(yè)級存儲系統(tǒng)的應用，為訪問性能、存儲協(xié)議、管理平臺、存儲介質，以及多種應用提供高質量的支持。隨著數(shù)據的快速增長，數(shù)據對業(yè)務重要性的日益提升，數(shù)據存儲市場快速演變。從DAS、NAS、SAN到虛擬數(shù)據中心、云計算，給傳統(tǒng)的存儲設計能力提出極大挑戰(zhàn)。存儲芯片能夠快速實現(xiàn)把各項存儲功能都整合到一個單一芯片上，保證優(yōu)化后系統(tǒng)的高性能。

存儲芯片的種類很多，按用途可分為主存儲芯片和輔助存儲芯片。前者又稱內存儲芯片(內存)，可以與CPU直接交換數(shù)據，速度快、容量小、價格高。后者為外存儲芯片(外存)，指除內存及緩存以外的儲存芯片。此類儲存芯片一般斷電后仍然能保存數(shù)據，速度慢、容量大、價格低。按照斷電后數(shù)據是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的有DRAM和SRAM。非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。

存儲芯片，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據的記憶設備。存儲芯片是半導體產業(yè)的重要分支，約占全球半導體市場的四分之一至三分之一。存儲芯片行業(yè)上游主要為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料以及光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備和檢測與測試設備等設備;中游為存儲芯片制造及封裝，常見的存儲芯片包括DRAM、NAND閃存芯片和NOR閃存芯片等;下游為消費電子、信息通信、高新科技技術和汽車電子等應用領域。

存儲芯片產業(yè)鏈

存儲芯片行業(yè)產業(yè)鏈上游參與者為原材料供應商和設備供應商;行業(yè)中游為存儲芯片制造商，主要負責存儲芯片的設計、制造和銷售，芯片具有較高技術壁壘，當前中國存儲芯片在各領域的應用處于起步發(fā)展階段，全球存儲芯片市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據;行業(yè)產業(yè)鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術和汽車電子等應用領域內的企業(yè)。

存儲芯片行業(yè)屬于技術、資金雙密集產業(yè)，產品設計周期長、工藝復雜、資金投入高，對企業(yè)研發(fā)能力、技術經驗積累、資金實力均有較高的要求。因此，行業(yè)內從事相關產品研發(fā)、生產的企業(yè)數(shù)量稀少，參與主體主要以規(guī)模較大和資金實力雄厚的廠商為主，行業(yè)市場集中度高。受存儲芯片行業(yè)國外巨頭壟斷及專業(yè)性強等因素的影響，單一廠商難以掌握多門跨領域的材料工藝技術，導致中國存儲芯片行業(yè)布局較為分散，廠商多布局在單一細分領域，

存儲芯片行業(yè)市場競爭格局分析

從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導體發(fā)展的重要角色。

今年下半年，隨著華為、蘋果等全球主要智能手機廠商新機的推出，進一步拉動了存儲芯片需求。據TrendForce集邦咨詢研究顯示，第三季度全球智能手機總產量約3.08億支，環(huán)比增長13%，相較2022年同期增長約6.4%。

從上游晶圓產值來看，今年第三季度也出現(xiàn)環(huán)比改善。全球前十大晶圓代工廠的產值為282.9億美元，環(huán)比增長7.9%。

11月以來，多只存儲芯片概念股持續(xù)走強。在披露了子公司生產的存儲芯片已小批量交付后，協(xié)創(chuàng)數(shù)據的月內股價從27.6元/股暴漲至 55.42元/股，漲幅高達100.65%;全資收購韓國GSI公司進軍存儲芯片測試業(yè)務的亞威股份月內 股 價 亦 飆 漲59.63%;產品線覆蓋 SSD固態(tài)硬盤、DRAM內存條、嵌入式存儲的移動存儲第一股、朗科科技股價在11月的漲幅亦高達45.36%。

相關公司股價回暖的背后，是曾經“跌跌不休”的存儲芯片價格開始在今年四季度大幅攀升。據行業(yè)知名咨詢機構CFM閃存市場的數(shù)據，自10月份以來，現(xiàn)貨市場NANDFlash(閃存)價格指數(shù)漲幅已達40%。從華南部分存儲芯片經銷廠商處記者亦了解到，目前以三星、西部數(shù)據以及金士頓為代表的固態(tài)硬盤產品，在最近數(shù)月內價格均出現(xiàn)顯著回升，回升幅度普遍在100元至130元之間。受終端需求不振和產業(yè)鏈庫存高企影響，自2022年至今，存儲芯片行業(yè)正經歷一段“歷史級”的艱難時期。

三星電子的三季報顯示，公司存儲芯片業(yè)務實現(xiàn)營收10.53萬億韓元，同比減少31%，包含存儲芯片業(yè)務在內的半導體業(yè)務部門(DS部門)在三季度凈虧損高達3.75萬億韓元;SK海力士在2023財年第三季度實現(xiàn)營收為9.0662萬億韓元，營業(yè)虧損達1.79萬億韓元，凈虧損為2.19萬億韓元;美光科技2023財年第四財季數(shù)據顯示，其當季實現(xiàn)營收40.1億美元，同比減少39.64%，凈虧損為14.3億美元。

據中研產業(yè)研究院《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》分析：

由于國產存儲芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術積累，因此大部分國內廠商都聚焦于利基型市場，與存儲三巨頭展開錯位競爭，近年來具有代表性的存儲芯片設計及制造企業(yè)如兆易創(chuàng)新、長江存儲、長鑫存儲、武漢新芯等，都在 DRAM和 NANDFlash領域逐漸突破技術壁壘，國產品牌將在未來持續(xù)攪動全球存儲芯片市場的競爭格局。

受中美貿易戰(zhàn)等原因影響，我國正在加大力度發(fā)展半導體行業(yè)，國產存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內存儲芯片行業(yè)的經濟政策環(huán)境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產業(yè)資金扶持，以及本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或將擴大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規(guī)模的擴大。

如果想要了解更多中國存儲芯片行業(yè)詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。

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