據(jù)Digitimes21日報道,SK海力士宣布成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E,并開始向英偉達(dá)等提供樣品進(jìn)行性能驗證。
據(jù)Digitimes21日報道,SK海力士宣布成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E,并開始向英偉達(dá)等提供樣品進(jìn)行性能驗證。
據(jù)介紹,此次產(chǎn)品在速度方面,最高每秒可以處理1.15TB(太字節(jié))的數(shù)據(jù)。其相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清(Full-HD,F(xiàn)HD)級電影(5千兆字節(jié),5GB)。
分析機構(gòu)TrendForce預(yù)測稱,2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。
隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預(yù)估達(dá)60%。
市場規(guī)模方面,華泰證券表示,單臺AI服務(wù)器HBM容量需求約320~640GB,目前AI訓(xùn)練用服務(wù)器基本均需配備HBM,未來受益于HBM滲透率快速提升,HBM需求量將快速增長,預(yù)計2024年HBM市場規(guī)模有望達(dá)到86億美元,對應(yīng)2022至2024年化增長率為178%。
公司方面,中證報表示主要包括:香農(nóng)芯創(chuàng):海力士的大陸云服務(wù)存儲的唯一代理商,代理產(chǎn)品有DDR5、HBM等高端存儲器。
雅克科技:High K前驅(qū)體材料已導(dǎo)入美光、海力士、臺積電、長存、長鑫等海內(nèi)外存儲大廠。
近日,有市場消息稱,存儲芯片三大原廠擬在下季拉動DRAM價格上漲。業(yè)內(nèi)人士表示,目前三大原廠都想要拉合約價,目標(biāo)漲幅7%~8%。雖然仍有庫存以及終端需求未見明顯復(fù)蘇的跡象,但進(jìn)入拉扯的角力戰(zhàn),至少代表產(chǎn)業(yè)落底、復(fù)蘇有望。
縱觀近幾個月來DRAM價格走勢,據(jù)日經(jīng)報道統(tǒng)計,此前截至2023年4月,DRAM價格連續(xù)12個月下滑,作為價格指標(biāo)的“DDR4 8GB”產(chǎn)品的6月的大宗交易價格比1年前下跌45%。
機構(gòu):內(nèi)存DRAM設(shè)備銷售額預(yù)計明年將反彈31%
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預(yù)測,由于相關(guān)市場疲軟,內(nèi)存DRAM設(shè)備銷售額預(yù)計今年將同比下降28%至88億美元,預(yù)計明年將反彈31%達(dá)到116億美元。
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。
由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。
因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
DRAM行業(yè)的上游是晶圓制造商以及封裝測試廠商,行業(yè)下游為智能手機、個人 PC、服務(wù)器等眾多終端應(yīng)用行業(yè)。
DRAM產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)硬件、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子等行業(yè)以及個人移動存儲等領(lǐng)域。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告》分析:
DRAM 為存儲市場中出貨量及銷售額最高的產(chǎn)品,DRAM 相較于 Flash 產(chǎn)品具備讀寫速度快的特性,相較于 SRAM 具有存儲量大、單成本低的優(yōu)勢。 DRAM 主要用于內(nèi)存條,內(nèi)存條是 CPU 與硬盤之間的橋梁,起到數(shù)據(jù)暫存的 作用, 提升了 CPU 的運算速度。
按照市場規(guī)模看,DRAM 約占存儲器市場53%,NANDFlash 約占存儲器市場42%,二者合計份額達(dá)95%,為存儲器市場主要構(gòu)成產(chǎn)品。
DRAM 市場中的“三大巨頭”,分別是三星電子、SK 海力士和美光科技。市占率部分,三星電子約 42.3%、SK 海力士約 29.7%,美光約 22.3%。
消息面上,DRAM大廠南亞科7月10日召開第二季度財報法說會。會上,公司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,本季DRAM整體平均價格依舊微幅下跌,但已看到部分產(chǎn)品報價呈現(xiàn)平穩(wěn)或小幅增長,如高階AI內(nèi)存及部分消費性應(yīng)用品項都開始漲價,這是正向信號,代表市場狀況逐步筑底、走向供需平穩(wěn)。
南亞科為全球第四大DRAM廠商,前三大分別為三星電子、SK海力士、美光科技。業(yè)績方面,南亞科第二季度實現(xiàn)營收70.27億元新臺幣,環(huán)比增長9.4%;6月營收為24.58億元新臺幣,環(huán)比增長6.45%,營收已連續(xù)4個月增長,并創(chuàng)今年新高。
美光、SK海力士對于存儲行業(yè)后續(xù)的市場情況也同樣保持樂觀的態(tài)度。美光科技近期表示,存儲行業(yè)已經(jīng)度過了當(dāng)前低迷的低點;SK海力士高管也預(yù)計,在中國需求復(fù)蘇和人工智能的大力推動下,該行業(yè)的低迷現(xiàn)象今年晚些時候會有所緩解。分析師在研報中指出,三星芯片業(yè)務(wù)的虧損將逐步縮小,然后在第四季度實現(xiàn)小幅盈利。
在存儲器領(lǐng)域,中國幾乎完全依賴于進(jìn)口,存儲器已經(jīng)成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一, 存儲器國產(chǎn)化也成為了我國半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。
5G、云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等信息技術(shù)及手機、PC等智能產(chǎn)品的發(fā)展對DRAM應(yīng)用產(chǎn)品的需求廣闊,中國未來仍為全球最大的DRAM需求市場。
未來隨著智能手機、PC、數(shù)據(jù)中心等對存儲器需求不斷增長,從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長,DRAM容量將以20%左右的增長率成長。
想要了解更多DRAM行業(yè)詳情分析,可以點擊查看中研普華研究報告《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告》。
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2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告
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