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全球及中國功率半導體市場規(guī)模分析

功率半導體按器件集成度可以分為功率器件和功率IC兩大類。功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。

一、功率半導體行業(yè)概述
根據(jù)《功率半導體分立器件產(chǎn)業(yè)及標準化白皮書(2019版)》,功率半導體按器件集成度可以分為功率器件和功率IC兩大類。功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率IC是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及各種保護電路等集成于同一芯片的集成電路,是系統(tǒng)信號處理部分和執(zhí)行部分的橋梁。

圖表:功率半導體產(chǎn)品范圍示意圖

二、功率半導體市場規(guī)模
功率半導體的應用十分廣闊,涉及電路控制和電能轉(zhuǎn)換的產(chǎn)品均離不開功率半導體的使用。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)及預測,2021年全球功率半導體市場規(guī)模為462億美元(主要包括功率器件、功率IC和功率模組),預計2024年將達到522億美元。

圖表:全球功率半導體市場規(guī)模

數(shù)據(jù)來源:Omdia
中國的功率半導體行業(yè)在國家相關政策支持、國產(chǎn)化替代加速及資本推動等因素合力下,取得了長足的進步與發(fā)展。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)及預測,2021年中國功率半導體市場規(guī)模為182億美元,預計2024年將達206億美元,中國作為全球最大的功率半導體市場,發(fā)展前景十分廣闊。

圖表:中國功率半導體市場規(guī)模

數(shù)據(jù)來源:Omdia
三、功率器件市場
功率半導體主要可分為功率器件和功率IC兩大類。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2020年全球功率器件市場規(guī)模約為149.82億美元。隨著各個領域?qū)β势骷碾妷汉凸ぷ黝l率要求逐漸提升,能較好滿足該需求的MOSFET等功率器件產(chǎn)品成為了功率器件的主流產(chǎn)品。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2020年全球MOSFET器件市場規(guī)模為80.8億美元,在所有功率器件類別中占比最高,占比達53.90%,且增速與功率器件總體增速接近,需求保持穩(wěn)定增長。

圖表:功率器件各細分領域市場占比

數(shù)據(jù)來源:Omdia
四、MOSFET細分市場的情況
①MOSFET行業(yè)總覽
MOSFET全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種廣泛應用于模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,可實現(xiàn)開關和信號放大等功能,與雙極型晶體管(BipolarJunctionTransistor,也稱BJT、三極管)和絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,也稱IGBT)同屬于晶體管領域。MOSFET具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好等特性,應用于包括通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制在內(nèi)的眾多領域。
根據(jù)芯謀研究(ICwise)數(shù)據(jù),2021年全球MOSFET市場規(guī)模為113.2億美元,預計2025年將增長至150.5億美元,年化復合增長率達7.4%。全球MOSFET市場規(guī)模預計將保持穩(wěn)定擴張,市場前景廣闊。

圖表:全球MOSFET市場規(guī)模及增長預測

2021年中國MOSFET市場規(guī)模約為46.6億美元,占全球市場的41%。預計2025年中國MOSFET市場規(guī)模將增長至64.7億美元,年化復合增長率為8.5%,增速高于全球市場增速。

圖表:中國MOSFET市場規(guī)模及增長預測

②MOSFET產(chǎn)品的技術特點
功率器件種類較多,主要包括二極管、三極管(BJT)、晶閘管、MOSFET和IGBT等。其中,二極管、晶閘管、三極管(BJT)的優(yōu)點是成本低,生產(chǎn)工藝相對簡單,在中低端領域大量應用;MOSFET、IGBT等器件結(jié)構相對復雜,工藝門檻和生產(chǎn)成本相對較高,系具有較高技術先進性的產(chǎn)品。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2020年全球MOSFET器件市場規(guī)模為80.8億美元,在所有功率器件類別中占比最高,占比達53.90%,需求保持穩(wěn)定增長。
③MOSFET細分產(chǎn)品情況
根據(jù)工作電壓劃分,以400V為分界,MOSFET可分為高壓MOSFET和中低壓MOSFET;根據(jù)器件結(jié)構劃分,MOSFET可分為平面MOSFET、溝槽型MOSFET、超結(jié)MOSFET等。
A.三類MOSFET的市場規(guī)模和國產(chǎn)化率情況
根據(jù)研究,2021年中國平面MOSFET的市場規(guī)模約為20.8億美元,預計2025年可增長至30.2億美元;2021年中國溝槽型MOSFET的市場規(guī)模約為19.0億美元,預計2025年可增長至23.9億美元;2021年中國超結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為6.8億美元,預計2025年可增長至10.7億美元。整體來看,未來三類MOSFET的市場規(guī)模均將繼續(xù)增長,三類MOSFET共存于市場。
國產(chǎn)化率方面,整體來看高壓MOSFET的國產(chǎn)化率低于中低壓產(chǎn)品。根據(jù)芯謀研究,2021年中低壓平面(400V以下)MOSFET的國產(chǎn)化率約為42.2%,高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為29.9%,超高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為18.2%。
B.三類MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)差異
MOSFET的主要技術發(fā)展維度包括器件結(jié)構、制程、工藝、材料等多個方面,MOSFET的發(fā)展不高度依賴于先進制程工藝,更側(cè)重于打造特色平臺,在結(jié)構、工藝及材料方面不斷優(yōu)化。
基于MOSFET不追求極致線寬、不必遵循摩爾定律的技術發(fā)展特點,MOSFET產(chǎn)品的整體研發(fā)方向為:在考慮成本因素的前提下,進一步優(yōu)化工藝以提升良率、改進優(yōu)化器件參數(shù),達到性能、成本、可靠性的最優(yōu)解。具體來看,三類MOSFET的研發(fā)難度各有側(cè)重;平面MOSFET偏重于設計和工藝的結(jié)合,溝槽型MOSFET和超結(jié)MOSFET偏重于實現(xiàn)工藝,對設備精度的依賴性更高。
C.三類MOSFET產(chǎn)品的市場前景
三類MOSFET均可應用于消費電子、工業(yè)控制等領域,以消費電子代表性品類智能家居產(chǎn)品為例,根據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù),擁有一件以上智能家居產(chǎn)品的家庭比例將由2021年的15%上升至2025年的接近20%,智能家居市場規(guī)模將從2021年的1,230億美元增長至2025年的1,730億美元,亞太地區(qū)將成為最大的智能家居市場,市場前景廣闊。
以工業(yè)控制領域代表性應用產(chǎn)品逆變器為例,根據(jù)GlobalMarketInsight數(shù)據(jù),全球光伏逆變器市場規(guī)模預計將從2021年的191.8億美元增長至2028年的270億美元以上,根據(jù)當前6%的功率器件成本占比計算,光伏逆變器中使用的功率器件市場規(guī)模超過100億元人民幣,市場前景廣闊。
超結(jié)MOSFET的下游應用市場主要受新能源汽車帶動,以其代表性應用場景新能源充電樁為例,根據(jù)中國電動汽車充電基礎設施促進聯(lián)盟數(shù)據(jù),2021年中國新能源充電樁市場規(guī)模達418.7億元,預計2026年可增長至2,870.2億元,巨大增長空間中將產(chǎn)生大量超結(jié)MOSFET需求,具有廣闊的市場前景。未來三類MOSFET的市場規(guī)模將繼續(xù)保持增長,體現(xiàn)出三類MOSFET之間主要為互補關系;三類MOSFET的下游應用領域均包含消費電子、工業(yè)控制等,具有廣闊的市場前景。
④MOSFET市場的競爭格局
長期以來,以英飛凌、安森美、意法半導體、東芝、瑞薩為代表的國外品牌憑借先進制造優(yōu)勢、人才集聚優(yōu)勢、大規(guī)模研發(fā)投入和技術積累,目前占據(jù)全球MOSFET市場的主要份額。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),以銷售額計,2020年MOSFET市場前七大品牌的市場占有率合計達到68.09%。市場競爭格局相對穩(wěn)定。我國知名功率半導體企業(yè)華潤微、士蘭微分別位列第八位和第十位,安世半導體(已被聞泰科技收購)位列第九位,三家合計市場份額占比10.26%。這表明國產(chǎn)品牌經(jīng)過多年發(fā)展已在國際競爭中嶄露頭角,但整體市場份額較國外品牌仍存差距。

圖表:全球市場各品牌MOSFET銷售額占比

數(shù)據(jù)來源:Omdia
根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2020年英飛凌和安森美分別占據(jù)了中國MOSFET市場產(chǎn)品銷售額的24.87%和16.53%,中國本土最大的MOSFET品牌華潤微市場占有率約為9%,排名第三。
近年來,在政府的政策引導及資金扶持下,國內(nèi)MOSFET市場蓬勃發(fā)展,MOSFET廠商資本支出和研發(fā)投入持續(xù)提升,涌現(xiàn)出華潤微、士蘭微、華微電子、新潔能、東微半導等一批國內(nèi)廠商,與國外品牌進行市場競爭,標志著國內(nèi)MOSFET品牌與國外品牌的技術差距正在縮小。

圖表:中國市場各品牌MOSFET銷售額占比

數(shù)據(jù)來源:Omdia
想了解更多功率半導體發(fā)展情況及其他相關內(nèi)容,可關注中研網(wǎng)《2024-2029年功率半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。

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