韓國媒體Pulse引述半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多位消息人士談話指出,三星在本季調(diào)升NAND芯片報價10%至20%之后,已決定明年第1季與第2季逐季再調(diào)漲報價20%。
韓國媒體Pulse引述半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多位消息人士談話指出,三星在本季調(diào)升NAND芯片報價10%至20%之后,已決定明年第1季與第2季逐季再調(diào)漲報價20%。
漲價幅度遠超業(yè)界預(yù)期。市調(diào)機構(gòu)集邦科技(TrendForce)先前指出,NAND芯片價格自8月起漲,看好在供應(yīng)商議價態(tài)度轉(zhuǎn)趨強硬情況下,估第4季企業(yè)級固態(tài)硬盤合約價格可望上漲約5%至10%。
用戶端固態(tài)硬盤方面,隨著供應(yīng)商議價能力提高,高低階用戶端固態(tài)硬盤產(chǎn)品可望同步上漲,預(yù)計第4季合約價將揚升8%至13%。
工信部等六部門聯(lián)合印發(fā)《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》提出,加速存力技術(shù)研發(fā)應(yīng)用。圍繞全閃存、藍光存儲、硬件高密、數(shù)據(jù)縮減、編碼算法、芯片卸載、多協(xié)議數(shù)據(jù)互通等技術(shù),推動先進存儲創(chuàng)新發(fā)展。鼓勵先進存儲技術(shù)的部署應(yīng)用,實現(xiàn)存儲閃存化升級,進一步提升我國全閃存技術(shù)競爭力。
持續(xù)提升存儲產(chǎn)業(yè)能力。鼓勵存儲產(chǎn)品制造企業(yè)持續(xù)提升關(guān)鍵存儲部件等自主研發(fā)制造水平,打造存儲介質(zhì)、存儲芯片、存儲系統(tǒng)和存儲應(yīng)用相互促進、協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
閃存市場前景如何?隨著5G無線通信的到來,智能手機的使用將會成倍增加,對最新型號不斷提高標準的需求也會增加。中國作為5G建設(shè)的主要國家,初步估計未來中國NAND閃存顆粒的市場銷售額將保守保持15%以上的年均復(fù)合增速,到2026年市場銷售規(guī)模超過3000億人民幣。
根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2023-2028年中國閃存卡市場深度調(diào)查研究報告》顯示:
閃存已經(jīng)成為智能手機的一個重要組成部分。NAND閃存的需求呈指數(shù)級增長,主要受智能手機平均容量增長的推動。智能手機的NAND閃存可以顯著提高瀏覽網(wǎng)頁、郵件加載、游戲甚至Facebook等社交網(wǎng)站的性能。隨著智能手機的普及,各家公司都在添加額外的功能和應(yīng)用程序,以將自己的產(chǎn)品與其他制造商區(qū)分開來。
例如,制造商正在將手勢控制、指紋掃描儀和GPS等功能集成到設(shè)備中。這提振了對NAND閃存的需求。
NAND閃存被用作智能手機的代碼存儲媒體。初步預(yù)計未來全球NAND閃存顆粒將保持10%以上的年均復(fù)合增速,到2026年市場規(guī)模超過1000億美元。
2022年,存儲芯片行業(yè)經(jīng)歷慘淡的一年,減產(chǎn)、砍單、價格下跌仍將影響著2023全年。目前市場價格幾乎已經(jīng)到了很多原廠的成本價,尤其今年一季度解封以后,并沒有出現(xiàn)預(yù)期的爆發(fā)性的經(jīng)濟增長。
經(jīng)過將近一年的行情調(diào)整,加上需求逐步的回升、庫存壓力逐步釋放,我們預(yù)計今年二季度可能將是這一輪行情的最低點,存儲行情很可能在三季度迎來新的變化或者增長。
CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示,2022年全球存儲市場規(guī)模同比下降15%,達到1392億美元,結(jié)束連續(xù)兩年的增長。其中NAND Flash為601億美元,DRAM為791億美元,較2021年均有不同程度的下滑。
雖然規(guī)模在下降,但存儲容量還是保持著增長。2022年全球NAND Flash容量增長6%至為6100億GB,全球DRAM容量將增長2%至1900億Gb。
行業(yè)前期投入研發(fā)費用高昂,對投入資金、高端人才和企業(yè)規(guī)模均提出了更高要求。由于產(chǎn)品驗證周期長,各廠之間的合作關(guān)系穩(wěn)定,新廠商進入難度大。
NAND閃存是存儲器市場的第二大細分市場,占存儲器市場規(guī)模的比例高達42%。2020年,全球半導(dǎo)體市場規(guī)模4402億美元,存儲器市場規(guī)模為1172億美元,NAND閃存市場規(guī)模為494億美元。
之前,NAND閃存一直基于二維平面的NAND技術(shù),也就是我們說的2DNAND閃存。2D在平面上對晶體管尺寸進行微縮,從而獲得更高的存儲密度,但晶體管尺寸微縮遇到物理極限,現(xiàn)已面臨瓶頸,達到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升,3DNAND成為發(fā)展主流。
3DNAND把解決思路從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層,成功解決了平面NAND在增加容量的同時性能降低的問題,實現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。
2022年存儲市場在終端需求不振、產(chǎn)業(yè)鏈高庫存等不利因素下陷入下行周期,包括存儲原廠在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都遭遇重創(chuàng)。從應(yīng)用市場看,手機、PC、服務(wù)器依然是存儲的三大主力應(yīng)用市場。
但因為手機和PC出貨量的下滑,其市場應(yīng)用份額有所減少,但服務(wù)器的份額持續(xù)擴大。
2020-2025年全球數(shù)據(jù)量保持20+%的年復(fù)合增長率增長,2020-2025年eSSD出貨量保持9%的年復(fù)合增長率增長。三星預(yù)計三大新領(lǐng)域:元宇宙、自動駕駛和機器人的增速將十分可觀,年化增長分別為67%、31%和35%。
不僅萬物互聯(lián)將在新領(lǐng)域中延續(xù)下去,互聯(lián)設(shè)備還將產(chǎn)生海量的信息數(shù)據(jù),由去年的79ZB提升到2025年的181ZB,到2030年全球人均使用的智能設(shè)備高達10個?;诔B接應(yīng)用的展望,三星正積極探索更智能、更高效的存儲解決方案。
閃存卡行業(yè)報告對中國閃存行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析,并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。還重點分析了重點企業(yè)的經(jīng)營現(xiàn)狀及發(fā)展格局,并對未來幾年行業(yè)的發(fā)展趨向進行了專業(yè)的預(yù)判。
本報告同時揭示了閃存市場潛在需求與潛在機會,為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學(xué)的決策依據(jù),同時對政府部門也具有極大的參考價值。
未來,閃存行業(yè)發(fā)展前景如何?想了解關(guān)于更多行業(yè)專業(yè)分析,請點擊《2023-2028年中國閃存卡市場深度調(diào)查研究報告》。
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2023-2028年中國閃存卡市場深度調(diào)查研究報告
本報告利用中研普華長期對閃存卡行業(yè)市場跟蹤搜集的一手市場數(shù)據(jù),同時依據(jù)國家統(tǒng)計局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國務(wù)院發(fā)展研究中心、行業(yè)協(xié)會、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外專業(yè)研究機構(gòu)提供的...
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